Termék áttekintése
A 6-hüvelykes CCP maratóeszköz kis---közepes termeléshez és K+F-hez. CCP technológiát használva az egykamrás plazmát állít elő az anyagok maratásához; az illékony melléktermékeket vákuum segítségével távolítják el. 6-hüvelyknél kisebb szeletekkel működik, rugalmas, költséghatékony-megoldásokat kínál az alacsony--közepes pontosságú mikrostruktúrákhoz – ideális az iparban és a laboratóriumokban egyaránt.
Előnyök
Szuper tér-hatékony
Egykamrás felépítésének köszönhetően kicsi a lábnyoma-tökéletes szűk gyártósorokhoz vagy laboratóriumokhoz, és csökkenti a telepítési költségeket is.
Könnyű a költségvetésben
Finomítottuk a dizájnt, és kipróbált-és-valódi alkatrészeket használtunk, így stabil teljesítményt nyújt, anélkül, hogy megtörténne.
Szuper sokoldalú
Kezeli a Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta{0}} maratását. Nem számít, min dolgozol, ez megvan neked.
Személyre szabott folyamatfókusz
Kiválóan használható fotorezisztens letisztításhoz és dielektromos maratáshoz, pontos paramétervezérléssel, hogy az eredmények minden alkalommal konzisztensek legyenek.
Alkalmazások
Mikro{0}}nano eszközök készítése:Mikrostruktúrákat alakít ki a kis félvezető alkatrészekhez,{0}}tökéletes azokhoz az alkatrészekhez, amelyek kis---közepes pontosságot igényelnek.
Letisztítás és dielektromos maratás:Eltünteti a fotoreziszt maradványokat és maratja a dielektromos anyagokat, így az eszköz felületei tiszták és sértetlenek maradnak.
K+F és prototípuskészítés:A laboratóriumok és a vállalati kutatás-fejlesztési csapatok szeretik, mint új anyagok, új struktúrák tesztelésére és prototípusok építésére alkalmas-eszközt-.
Kis{0}}kötegelt futtatások:Tökéletes egyéni érzékelők vagy mikroelektronikai modulok kis mennyiségben történő készítéséhez{0}}profiként egyensúlyban tartja a hatékonyságot és a költségeket.
Paraméterek
|
Kategória |
Részletek |
|
Ostya kompatibilitás |
Max . 6-hüvelykes (150 mm) ostyák; kompatibilis a 4 hüvelykes/2 hüvelykes ostyákkal adaptív hordozókon keresztül |
|
Plazmaforrás technológia |
Capacitively Coupled Plasma (CCP); egy-frekvenciás RF tápegység (13,56 MHz) |
|
Támogatott Etch anyagok |
Szilícium (Si), szilícium-dioxid (SiO₂), szilícium-nitrid (SiNₓ), arany (Au), tantál (Ta), fotoreziszt |
|
Kulcsfolyamatok teljesítménye |
- Maratási egyenletesség: legfeljebb 7% (-ostyán belül, 6- hüvelyk) - Marásszelektivitás (Si vs SiO₂): nagyobb vagy egyenlő, mint 20:1 - A fotorezisztens eltávolító hatásfoka: 95% vagy annál nagyobb maradék eltávolítás |
|
RF teljesítmény tartomány |
0-500W (1W-os lépésekben állítható); teljesítmény stabilitás: ±1% |
|
Kamra konfiguráció |
Egyetlen maratókamra; rozsdamentes acél üreg kerámia bevonattal; integrált vákuum kipufogó rendszer |
|
Vákuum teljesítmény |
Alapnyomás: kisebb vagy egyenlő, mint 5×10⁻⁵ Pa; szivattyúzási sebesség: 300 L/s vagy annál nagyobb |
|
Gázvezérlő rendszer |
4 csatornás tömegáram-szabályozó (MFC); áramlási tartomány: 0-200 sccm csatornánként; hordozós gázok: SF6, O2, CF4, Ar, N2 |
|
Hőmérséklet szabályozás |
Tokmány hőmérséklete: 20-80 fok (állítható); hőmérséklet stabilitás: ±0,5 fok |
|
Gyártás és megbízhatóság |
- Kötegelt feldolgozási idő: 3-10 perc ostyánként (folyamattól függően)- Meghibásodások közötti átlagos idő (MTBF): nagyobb vagy egyenlő, mint 250 óra- Footprint: legfeljebb 1,2 m × 0,8 m (L × W) |
|
Vezérlőfelület |
Érintőképernyős HMI; PLC vezérlőrendszer; támogatja a folyamatreceptek tárolását (akár 100 készlet) |
GYIK
K: Milyen szeletméreteket támogat a rendszer?
V: Max 6 hüvelykes; kompatibilis a 4 hüvelykes/2 hüvelykes hordozókkal.
K: Milyen anyagokat lehet maratni?
A: Si, SiO₂, SiNₓ, Au, Ta és fotoreziszt.
K: Milyen alapvető folyamatokhoz használják?
V: Fotoreziszt descum és dielektromos maratás.
K: Mi az ostyán belüli-maratás egységessége?
V: Kevesebb, mint 7% vagy egyenlő (6 hüvelykes ostya).
K: Mekkora a rendszer lábnyoma?
V: Kisebb vagy egyenlő, mint 1,2 m × 0,8 m (H × W), helytakarékos.
Népszerű tags: 6" ccp marató, Kína 6" ccp marató gyártók, beszállítók
