RIE Rézkarc

RIE Rézkarc

A reaktív ionmaratási (RIE) gépek nagy teljesítményű,{0}}szárazmaratási eszközök, amelyek a rádiófrekvenciás kisülési technológia köré épülnek. A fő trükkjük? A fizikai bombázás és a kémiai reakciók párosítása a célanyagok precíz eltávolítása érdekében – nincs gond, csak pontosság.
A szálláslekérdezés elküldése
Leírás

Termék áttekintése

 

A reaktív ionmaratási (RIE) gépek nagy teljesítményű,{0}}szárazmaratási eszközök, amelyek a rádiófrekvenciás kisülési technológia köré épülnek. A fő trükkjük? A fizikai bombázás és a kémiai reakciók párosítása a célanyagok precíz eltávolítása érdekében-nem gond, csak a pontosság.


Tökéletesen illeszkednek a félvezetőipar teljes munkafolyamatához, a K+F-től a teljes{0}}léptékű gyártásig. Szilícium, összetett félvezetők, mindenféle dielektromos anyag-nevezd meg a hordozót, precízen maratni tudják. A csúcstechnológia kulcsfontosságú-folyamataiban pedig otthon vannak: integrált áramkörök, optoelektronikai eszközök, 5G kommunikációs eszközök, sőt kvantumchipek.


Adja hozzá a digitális intelligens vezérlést és az automatikus állandó nyomásszabályozást, és minden alkalommal szilárd folyamatmegismételhetőséget és maratási konzisztenciát kap. Függetlenül attól, hogy kis-csoportos laboratóriumi teszteket végez, vagy egy gyárban ad ki termékeket, ezek a gépek zökkenőmentesen alkalmazkodnak. Extra teljesítményre van szüksége? Válassza a LOAD LOCK rakodókamrát. Csökkenti a légköri szennyeződést, felgyorsítja a betöltést, és szorosan tartja a kamra vákuumot-, hogy tiszta, stabil környezetet teremtsen a nagy-precíziós maratáshoz. A lényeg: segít az ügyfeleknek elsimítani a technikai akadozásokat az eszközök kutatás-fejlesztésétől egészen a tömeggyártásig.

 

Alkalmazások

 

A RIE gépek precíz maratással és sok{0}}anyaghoz való alkalmazkodóképességgel- tündökölnek. Itt szállítanak igazán:

1. Integrált áramkör (IC) gyártása: Nagyszerű logikai chipekhez és memóriához (DRAM, NAND Flash mellékelve). Mikro{2}}nanoméretű maratást{3}}végez szilícium hordozókon és poliszilícium kapukon, stabilan tartja az áramköri struktúrákat és az elektromos teljesítményt.
2. Optoelektronikai eszközök gyártása: Pontosan illeszkedik a LED- és VCSEL-gyártáshoz. Zafír-, GaN-alapú anyagokat és SiO₂ dielektromos rétegeket marat, hogy fénykibocsátó régiókat és hullámvezető struktúrákat építsen fel, növelve a fotoelektromos átalakítás hatékonyságát.
3. 5G kommunikációs eszköz feldolgozása: tökéletes 5G RF eszközökhöz (szűrők, teljesítményerősítők). GaAs, GaN és SiC szubsztrátokat marat, hogy nagy-frekvenciás mikro-nano struktúrákat hozzon létre, és gondoskodik arról, hogy a jelek stabilak maradjanak még nagy-frekvenciás és nagy{6}}teljesítményű körülmények között is.
4. Fejlett félvezetőkutatás: Támogatja a kvantumchipek (szupravezető, kvantumpont típusú) kis-sérüléses maratását, valamint élvonalbeli anyagok, például szilícium-karbid és 2D anyagok mikro-nano feldolgozását, amelyek tökéletesek a kutatóintézetek folyamatainak feltárására.
5. MEMS és szenzormező: MEMS eszközöket (gyorsulásmérők, mikrotükrök) és félvezető érzékelőket kezel. A szilíciumot és a szilícium{2}}alapú dielektrikumokat maratva 3D-s mikrostruktúrákat alakít ki, biztosítva ezzel a szilárd mechanikai teljesítményt és az észlelési érzékenységet.

 

Előnyök

 

1. Legfőbb-szintű pontosság:

Fizikai és kémiai maratással foglalkozó csapat a mikro{0}}nanoméretű-nanoméretű pontosság-meghatározása érdekében, a mikro-nanogyártás által megkívánt mértékben.

01

2. Széles körű anyagkompatibilitás:

Jól játszik szilíciummal, összetett félvezetőkkel, dielektrikumokkal és még sok mással, lefedi a feldolgozási igényeket mindenféle területen.

02

3. Nagy stabilitás:

Digitális hőmérsékletszabályozással és állandó nyomásszabályozással büszkélkedhet, így a folyamatok konzisztensek maradnak, és csökkentik a zavaros ingadozásokat.

03

4. Alacsony anyagi kár:

Minimálisra csökkenti az aljzat károsodását és szennyeződését, így az anyagok eredeti tulajdonságai sértetlenek maradnak.

04

5. Nagy rugalmasság:

Választhat LOAD LOCK kamrát, és támogatjuk a testreszabott beállításokat is, hogy bármilyen felhasználási esethez illeszkedjenek.

05

 

Paraméterek

 

Tétel

Specifikus mutatók

Alkalmazható ostyaméret

8 hüvelyk és az alatti

Rézkarc sebesség

0,1-4μm/perc (a fajlagos érték a típustól függ
maratandó anyag és tényleges folyamatparaméterek)

Rézkarc egységessége

±5% (6 hüvelykes ostya alapján, számítási módszer:
(Maximális érték- Minimális érték)/(2xátlagos érték))

Szubsztrát szakasz hűtési módszere

Vízhűtés

Ellenőrzési módszer

Teljes digitális automata vezérlés

Nyomásszabályozás

Automatikus állandó nyomásbeállítás (biztosítja a folyamatot
stabilitás)

Opcionális konfiguráció

LOAD LOCK betöltőkamra (csökkentheti a légkört
szennyezés, javítja a rakodási hatékonyságot és a kamrát
vákuummegtartó képesség)

 

GYIK

 

Mekkora maximális szeletméretet támogat ez a RIE berendezés?

8 hüvelyk és az alatt.

Mekkora a maratási sebesség tartománya?

0,1-4 μm/perc, ami az anyagtól és az eljárástól függően változik.

Alkalmazható összetett félvezetők, például GaAs és GaN maratására?

Igen, különféle anyagok, köztük a szilícium és a SiO₂ maratását is támogatja.

Milyen funkcionális modulok konfigurálhatók opcionálisan?

A LOAD LOCK betöltőkamra opcionálisan konfigurálható.

Hogyan biztosítható a folyamat megismételhetősége?

Teljes digitális vezérlés + automatikus állandó nyomásbeállítás az ingadozások csökkentésére.t.

 

Népszerű tags: rie etcher, Kína rie etcher gyártók, beszállítók

A szálláslekérdezés elküldése