Az ostyatisztítás az a folyamat, amelynek során kémiai vagy fizikai módszerekkel távolítják el a szennyeződéseket és oxidokat az ostya felületéről az integrált áramkörök gyártása során, annak érdekében, hogy megfeleljenek az ostya felületének tisztasági követelményeinek. Az ostya tisztításának elve a különféle szennyeződések eltávolítása az ostya károsodása nélkül.
A részecskék eltávolításának négy fő mechanizmusa van: feloldódás, oxidatív bomlás, elektromos taszítás a részecskék és a szilícium lapka felületei között, valamint a szilícium lapka felületeinek enyhe korróziója.
A fémrészecskék eltávolítására általában SC-2 oldatot vagy HPM oldatot használnak az ostya felületén lévő fémtartalom csökkentésére. Az SC-2 oldat kristályosodáson megy keresztül, ami tisztítás után megnövelheti a részecskék számát az ostya felületén. Ezért HCL helyett HF, vagy SC-2 oldat helyett O3 használható HF-el kombinálva a fémrészecskék hatékony eltávolítására.
A szerves szennyező anyagok eltávolítására általában SPM oldatot vagy UV/ózonos vegytisztítási technológiát alkalmaznak.
Nedves tisztítás után az ostyát alaposan meg kell szárítani, hogy a következő folyamat előtt ne legyenek víznyomok a felületen. A jelenleg elérhető három leggyakoribb szárítási mód a rotációs szárítás, a Marangoni szárítás és a forró izopropanolos porlasztásos szárítás.
