Termék áttekintése
Az UHB 100 egy nagy-teljesítményű, nagy{2}}energiájú ionimplanter. Mély-csomópontos adalékolási folyamatokhoz tervezték a fejlett félvezetőgyártáshoz. Az egyszeri-töltésű ionok 8 MeV-ig terjedő gyorsulási energiájával a gép egy-szeletbeültetési architektúrát alkalmaz. Kiemelkedő rendszerstabilitást, precíz paramétervezérlést, kiváló beültetési egységességet és ismételhetőséget biztosít, széles folyamatlefedettséget támogatva a logikai, memória-, képalkotó és tápegységek számára.
Előnyök
Ultra-nagysugárzós energiaképesség: Az egy-töltésű ion energiája meghaladja az 1 MeV-ot, a maximális energia eléri a 8 MeV-ot, támogatja a mély-kút és a retrográd-kút beültetési folyamatait.
Nagy-teljesítményű, hosszú{1}}élettartamú ionforrás: Az optimalizált ion-forrás kialakítása stabil kimenetet biztosít MeV-szintű gyorsulási feltételek mellett, és csökkenti a forráskarbantartási állásidőt.
Nagy energiatisztaság és sugárátviteli hatékonyság: A fejlett sugár{0}}optikai kialakítás javítja a sugárátviteli hatékonyságot, és csökkenti az energiaszennyeződést a kiváló minőségű implantációs profilok érdekében.
Kiváló folyamatpontosság: Kiváló adag egyenletesség és ismételhetőség a teljes dózistartományban, kielégítve a fejlett{0}}csomóponti tömeggyártás szigorú követelményeit.
Egy-ostyagyártásra-orientált architektúra: Az egy-ostya-beültetési kialakítás rugalmas receptváltást tesz lehetővé, amely alkalmas vegyes-termék-gyártásra fabokban.
Alkalmazások
Az UHB 100 támogatja a nagy-energiájú mély-csatlakozási beültetést a főbb félvezető chipekhez:
LOGIC, DRAM, 3D NAND, NOR Flash
CMOS, MOSFET, IGBT, BCD tápegységek
CIS, MEMS és más képalkotó{0}}félvezető eszközök gyártása
Paraméterek
|
Tétel |
Specifikáció |
|
Energia tartomány |
20 keV-8 MeV |
|
Max sugáráram |
B⁺: nagyobb vagy egyenlő, mint 1000 μA @1 MeV |
|
Dózistartomány |
1E11-5E15 ion/cm² |
|
Egyenletes dózis (1σ) |
1E11-5E11 ion/cm²: legfeljebb 1%; 5E11-5E15 ion/cm²: 0,5% vagy annál kevesebb |
|
Dózisismételhetőség (1σ) |
1E11-5E11 ion/cm²: legfeljebb 1%; 5E11-5E15 ion/cm²: 0,5% vagy annál kevesebb |
GYIK
K: Mi az UHB 100 alapvető alkalmazási forgatókönyve?
V: Az UHB 100-at főként nagy energiájú mély junction adalékolásra használják, mint például a retrográd lyukak és a mélylyukak beültetése logikai chipekhez, tárolóchipekhez és teljesítmény-félvezető eszközökhöz. Lefedi a nagy energiájú beültetés kulcsfontosságú lépéseit a fejlett csomópontgyártáshoz.
K: Mekkora az UHB 100 maximális gyorsulási energiája?
V: Egy töltésű ionok esetén a maximális energia eléri a 8 MeV-ot, és 1 MeV feletti energiánál stabil nyalábáram érhető el.
K: Mi a helyzet az adagszabályozás teljesítményével?
A: Az 1E11 5E11 dózistartományhoz ion/cm², 1σ egyenletesség és ismételhetőség Legfeljebb 1%; az 5E11-hez 5E15 ion/cm², 1σ egyenletesség és ismételhetőség Legfeljebb 0,5%, ami megfelel az IC fab-ekre vonatkozó szigorú tömeggyártási követelményeknek.
K: Működhet-e az UHB 100 más SEMICORE implantátorokkal egy gyártósoron?
V: Igen. Az UHB 100 integrálható a CIP sorozatú közepes áramerősségű beültetőkkel, a CIC sorozatú nagyáramú implantátorokkal, hogy komplett háztartási ionimplantációs megoldást készítsenek, amely lefedi az alacsony, közepes és nagy energiájú folyamatokat.
K: Milyen szolgáltatási támogatás nyújtható?
V: A SEMICORE ZKX teljes körű pótalkatrész-ellátást, éves karbantartást, nagyszerű szervizelést, berendezések felújítását, helyszíni műszaki támogatást és folyamatreceptek hangolását biztosítja a gyártósor üzembe helyezéséhez.
K: Az UHB 100 alkalmas 28 nm-es tömeggyártásra?
V: Igen. Az UHB 100 28 nm-es csomópontig terjedő tömeggyártási folyamatokhoz hitelesített, hazai nagyméretű integrált áramköri gyártósorokon.
Népszerű tags: nagyenergiájú ionimplanter, kínai nagyenergiájú ionimplanter gyártók, beszállítók
